去離子水設(shè)備采用技術(shù)成熟,先進(jìn)的反滲透設(shè)備,反滲透設(shè)備主要是通過(guò)膜兩側(cè)的壓差為動(dòng)力,只允許水通 過(guò)而截留除了氫離子和氧離子的其他離子,對(duì)各種離子除去率也不一樣,這個(gè)也是由于其結(jié)構(gòu)和原理所決 定的,據(jù)統(tǒng)計(jì)反滲透對(duì)3+離子的去除率大概在95%-99%,對(duì)2+離子的去除率在92%-99%%,對(duì)1+離子去除率在 70%-95%左右.對(duì)2-陰離子去除率80%-90%,1-陰離子去除率在75%-95%左右,除硝酸根離子去除率50%-75%.

　　去離子水設(shè)備的工藝大致可分為四種:

　　*種:采用陽(yáng)陰離子交換樹(shù)脂取得的去離子水,一般通過(guò)之后,出水電導(dǎo)率可降到10us/cm以下,再經(jīng)過(guò)混 床就可以達(dá)到1us/cm以下了.但是這種方法做出來(lái)的水成本*,而且顆粒雜質(zhì)太多,達(dá)不到理

　　想的要求.已較少采用了.

　　第二種:預(yù)處理(即砂碳過(guò)濾器+精密過(guò)濾器)+反滲透+混床工藝

　　這種方法是目前采用zui多的,因?yàn)榉礉B透投資成本也不算高,可以去除90%以上的水中離子,剩下的離子再 通過(guò)混床交換除去,這樣可使出水電導(dǎo)率:0.06左右.這樣是目前zui流行的方法.

　　第三種:采用兩級(jí)反滲透方式

　　其流程如下:

　　自來(lái)水-多介質(zhì)過(guò)濾器-活性炭過(guò)濾器-軟化水器-中間水箱-低壓泵-精密過(guò)濾器-一級(jí)反滲透-PH調(diào)節(jié)-混合 器-二級(jí)反滲透(反滲透膜表面帶正電荷)-純水箱-純水泵-微孔過(guò)濾器-用水點(diǎn)

　　第四種:前處理與第二種方法一樣使用反滲透,只是后面使用的混床采用EDI連續(xù)除鹽膜塊代替,這樣就不 用酸堿再生樹(shù)脂,而是用電再生.這就*使整個(gè)過(guò)程無(wú)污染了,經(jīng)過(guò)處理后的水質(zhì)可達(dá)到:15M以上.但這 這種方法的前期投資比較多,運(yùn)行成本低.根據(jù)各公司的情況做適當(dāng)?shù)耐顿Y.

　　功能特點(diǎn):

　　1. 去離子水設(shè)備采用了自沖洗過(guò)濾器,開(kāi)機(jī)時(shí)自動(dòng)沖洗,有效延長(zhǎng)RO膜的使用壽命;

　　2. 水質(zhì)在線檢測(cè)功能隨時(shí)了解出水水質(zhì)情況.

　　3. 全自動(dòng)沖洗,水滿停機(jī)功能;

　　4. 自動(dòng)化程度高、占地面積小、安裝方便、經(jīng)濟(jì)實(shí)用等特點(diǎn);

　　5. 直接連接自來(lái)水,使用簡(jiǎn)單,一鍵操作;

　　去離子水設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域:

　　1、制取電子工業(yè)生產(chǎn)水處理設(shè)備如單晶硅純水設(shè)備、半導(dǎo)體純水處理、集成電路塊用水設(shè)備、IC芯片封 裝用水工程、顯象管用水處理、玻殼超純水處理、LCD清洗用水、光學(xué)水處理、光電用水處理、熱電廠用 水處理、冶金工業(yè)用水、化工純水設(shè)備、輕工工程用水、汽車(chē)制造清洗用水、制藥純化水、醫(yī)療衛(wèi)生等 制造工業(yè)用純水.

　　2、單晶硅超純水處理、半導(dǎo)體純水設(shè)備、集成電路塊用水、IC芯片封裝行業(yè)純水設(shè)備、太陽(yáng)能硅片清洗 水設(shè)備

　　3、醫(yī)藥行業(yè)用水,制藥無(wú)菌注射用水、制劑工藝用水,醫(yī)療血液透析用水、生化分析純水處理、輸液醫(yī)藥 用水等.

　　4、制取熱力、火力發(fā)電鍋爐用水,廠礦企業(yè)中、低壓鍋爐給水所需軟化水、除鹽純水.

　　5、制取飲料行業(yè)的飲用純凈水、蒸餾水、天然水、礦泉水、礦化水設(shè)備、酒類(lèi)生產(chǎn)白酒勾兌用純水、啤 酒糖化投料用水及純生啤酒過(guò)濾等.